全球DRAM第一季合约均价较上季跌幅达11%,加上笔电市场与智能型手机步入传统淡季下,全球DRAM产业第一季总产值衰退达7.5%,营收来到120亿美元。从市场面来观察,由于一线大厂转进20/25nm制程且位元产出增加,配合去年第四季需求旺季,创造历年少见的营收高峰;但进入传统淡季后,产出与库存水位的增加,亦成为降价的压力点,第一季开始部份厂商已经着手进行产品的调节与转换,希望在各产品的供需中取得价格平衡点...
第一季NAND Flash市场受到需求端淡季效应的冲击,明显呈现供过于求,颗粒合约价跌幅也接近10%,让各家NAND Flash业者营收普遍较2014年第四季衰退。TrendForce预期第二季上半仍依旧为小幅供过于求,但自五月底起受惠于新款智能型手机上市铺货潮,及固态硬盘需求的带动下,市况将开始回温,下半年可望转为供需平衡且供货吃紧的情况...
全球DRAM产业由于第三季iPhone6出货在即,三大DRAM厂莫不备战,调配旗下产能以应付Apple庞大行动式内存的需求;排挤效应下,标准型内存产出减少,不光第三季合约价格持续上涨,供货吃紧下标准型内存仍蝉联毛利最高的DRAM产品。此举亦带动今年第三季DRAM产值达120亿美元,较上季成长11%,单季营收再度创下新高,在各DRAM厂产品比重调配得宜与先进制程产出增加下,其获利能力皆进一步提升。获利能力来看,三大DRAM厂中,三星仍表现最佳,营业利益率(Operating Margin)达42%,SK海力士则紧追在后达40%,美光集团由于生产主轴仍以30nm制程为主,毛利率约24.1%,为三大DRAM厂最低。但在DRAM产业寡占结构下,市场仍是维持稳定获利的格局走势,预估2014年DRAM产值可望来到461亿美元,2015年更将来到520亿美元规模,预计成长近13%...
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示,全球DRAM产业由于智能型手机的高度成长,在产能调配下,行动式内存已经跃升为比重最高的产品;受排挤效应影响,标准型内存产出减少,且因供货吃紧带动,成为毛利最高的产品,使第二季合约价格呈现持续上涨趋势。今年第二季全球DRAM产值单季营收达百亿美元规模至108亿美元,较上季成长9%,在各DRAM厂产品比重调配得宜下,其获利能力皆进一步上升。以获利能力来看,三大DRAM厂中,三星仍表现最佳,营业利益率(operating margin)达39%,SK海力士则紧追在后达38%,美光集团中以华亚科营业利益率达全DRAM厂之冠至55%最为亮眼。寡占结构与供货持续吃紧下,整体DRAM市场亦形成价格欲跌不易的市场格局。预估2014年DRAM产值可望来到468亿美元,较2013年大幅成长36%...