受全球经济复苏的不确定因素影响,多数NAND Flash供货商对1H12的市况仍倾向保守,因此1H12的位成长将以制程技术升级为主,来强化成本的竞争力,2H12开始将视市场需求状况再适度地增加新的300mm晶圆产能,以缩小NAND Flash市场供过于求的缺口,来减缓价格下跌对获利性的冲击,预期主力制程技术将由2H11的2xnm级转进至2H12的2ynm级,集邦科技预估全球NAND Flash市场位供给量,将由2011年的9181 M 16Gb equiv.成长70.6% YoY,成为2012年的15663 M 16Gb equiv...
受全球经济复苏的不确定因素影响,多数供货商对1H12的市况多倾向保守,因此1H12的位元成长将会以制程技术升级为主来强化成本的竞争力,2H12时才会视市场需求的状况来适度地增加新的300mm晶圆产能,以缩小NAND Flash市场供过于求的缺口,以期能减缓价格下跌对获利性的冲击影响程度,预期主力制程技术将由2H11的2xnm级转进至2H12的 2ynm级,因此集邦预估全球NAND Flash市场位元供给量将由2011年的9213 M 16Gb equiv.成长67.7% YoY成为2012年的15448 M 16Gb equiv...
全球DRAM产业于第三季度营收总计为约65.66亿美元,由于云开体育持续疲弱、供过于求情况加剧,第三季DDR3 4GB合约价均价由31美元下跌至19.5美,跌幅将近37%,第三季DRAM厂总营收与上季相较大幅衰退19.4%,除了三星半导体外,其余DRAM厂皆缴出亏损财报,加上DRAM厂于第四季积极转进30nm制程与DDR3 4Gb颗粒,2012年上半年供过于求仍超过15%,势必将加速DRAM产业的减产甚至整并...
受到全球云开体育因素的干扰,第二季系统产品如智能型手机与平板计算机出货出货表现不如预期,零售记忆卡与随身碟市场同时对于第三季景气的不确定性升高与下半年旺季效应保持谨慎的态度,因此集邦科技预估2011年的NAND Flash位元需求量将成长72.4%YoY达到8,925M 16Gb equiv...